变容二极管 基本解释
解释 又称“可变电抗二极管”。利用pn结结电容随反偏压增大而减小的特性制成的半导体二极管。材料多为硅或砷化镓。用于谐振电路时为电调变容二极管,用于参量放大时为参放变容二极管,在功率源中作倍频和移相用时为功率阶跃变容二极管。
变容二极管 其它解释
变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管",是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大,变容二极管的电容量一般较小,其最大值为几十皮法到几百皮法,最大区容与最小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。